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一种为曝光提供的部分一次射束曝光掩模，它在半导体器件的有源和隔离区上形成光刻胶的重复图形，部分一次射束曝光掩模的图形边界只定位在隔离区内。这种掩模的图形可以用于形成字线。在此情况下，掩模图形的边界可以沿着与字线长度方向垂直的方向形成。另一种...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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