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本发明公开了一种二维ZnIn2S4负载凸起状贵金属单原子的光催化剂及其应用。本发明采用光沉积法在ZnIn2S4表面修饰贵金属单原子制备得到，贵金属单原子负载在二维ZIS表面上，且负载量为大于等于0.1且小于等于0.7wt％。本发明得到的凸起...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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