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为了将带有ＳＯＩ结构的半导体集成电路在运行时在电源线和地线上所发生的电位波动减至最低限度，并提高散热效率和运行可靠性，采用了一种不增加面积的简单结构。它有形成在用以隔离晶体管的一层埋入的绝缘层下面的ｎ型半导体导电区和Ｐ型半导体导电区。由一晶...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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