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一种基于载流子全新注入机理实现Ｂｌｏｃｈ振荡的半导体量子振荡器件，包括一个由多层半导体材料构成的结构和给上述结构加电压的装置，所述多层结构包括隧穿注入区和与其相接并位于其两侧的两个载流子振荡区，施加电压的装置将电压加在两个振荡区上，引起隧穿...
该专利属于李炳辉所有，仅供学习研究参考，未经过李炳辉授权不得商用。

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