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本发明涉及裂痕阻断技术，基本上阻止了裂痕和凹口沿切割槽扩展入集成电路的有效区。在芯片边缘附近的切割槽内制作出介电层厚度的不连续区，从而形成裂痕阻断。不连续区导致了介电层厚度的增加和／或减少。...
该专利属于西门子公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司;国际商业机器公司授权不得商用。

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