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一种太阳电池，用岛形方式在低浓度Ｐ型半导体单晶衬底（１００）的与光接收面相对的一面上形成Ｐ型扩散层（１０２），通过离子注入在Ｐ型扩散层（１０２）之间形成有晶体缺陷的层（Ｖ）或是非晶的层（Ｖ）。离子注入的元素至少从氢、硅、锗、氟、氧和碳中选择...
该专利属于夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普公司授权不得商用。

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