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本发明提供了一种半导体基片，它可以在制作半导体器件的整个过程中保持其吸收能力，并能够阻止先前被吸收的污染性杂质被重新释放进入半导体器件的工作区。该半导体基片包括一个硅基片、一个多晶硅层和一个高浓度硼层。硅基片具有第一主表面和与第一主表面相对...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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