温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在一个包括两个交叉耦合驱动ＭＯＳ晶体管和两个连接到所述驱动ＭＯＳ晶体管的转移ＭＯＳ晶体管的静态随机存储器单元中，一组驱动ＭＯＳ晶体管和转移ＭＯＳ晶体管的栅极形成在一个半导体基片上以及一组晶体管的源极／漏极杂质扩散区域（８）形成在该半导体基片...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。