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硬激励栅极可关断可控硅的栅极单元制造技术
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文档序号:3221025
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在硬激励的栅极可关断可控硅(GTO)(10)的栅极单元(47)中,至少某些激励所需的电子组件(37,…42)安排在印刷电路板(34)上。为了达到低电感接触,印刷电路板(34)包围GTO(10),处在GTO(10)的阳极侧和阴极侧之间的与GT...
该专利属于ABB瑞士控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ABB瑞士控股有限公司授权不得商用。
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