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一种制造半导体器件的方法包括经过栅极绝缘膜（４）在半导体衬底（１）上形成栅极（５）的步骤和在栅极（５）的侧表面和半导体衬底（１）的上表面上形成第一绝缘膜（７）的步骤。该方法还包括在第一绝缘膜（７）上形成第二绝缘膜的步骤和深腐蚀第一和第二绝缘...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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