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一种形成动态随机存取存储器的方法，包括：在一基底上形成一转移晶体管，转移晶体管包括一位于基底的栅氧化层上方的栅极以及栅极下的通道区两旁的一第一与一第二源极／漏极区；暴露出第一与第二源极／漏极区；淀积一氮化硅层，然后淀积一厚氧化硅层；对厚氧化...
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