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提供一种能以高精度进行定位而不使性能恶化的半导体装置及其制造方法。只在与整个定位标记区域１１Ａ及沟槽１０Ｃ对应的埋入氧化硅膜２上形成抗蚀图案５１，采用干法蚀刻进行预蚀刻处理，将存储单元区域１１Ｂ的整个表面及外围电路区域１１Ｃ的一部分上的氧化...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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