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三维只读存储器及其制造方法技术
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文档序号:3220681
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本发明提供一个将存储元布置在三维空间中的只读存储器。这些存储元分布在多个存储层上。这些存储层相互重叠,一层叠在另一层上。在每个存储层上有多个选址线和存储元。这些存储元可以是掩模编程的或场编程的。由于存储元布置在三维空间中,存储密度和存储容量...
该专利属于张国飙所有,仅供学习研究参考,未经过张国飙授权不得商用。
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