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在一块半导体基片上形成第一绝缘膜。然后在该第一绝缘膜上形成第一光刻胶。在该第一光刻胶中形成接触孔的图案。然后，以该第一光刻胶为掩膜，对第一绝缘膜进行蚀刻，从而形成接触孔。然后除去该第一光刻胶，并在整个表面上形成有机绝缘膜。另外，在该有机绝缘...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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