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本发明涉及巨磁阻材料Ｐ－Ｎ结结构。在单晶基底上制备一层Ｎ型或Ｐ型巨磁阻薄膜，然后再在上述薄膜上制备一层Ｐ型或Ｎ型巨磁阻材料薄膜，这样就制备成一个巨磁阻材料Ｐ－Ｎ结。包括在已经制备好的Ｐ－Ｎ结材料薄膜上制备另一层不同类型的巨磁阻材料薄膜就获得...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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