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利用本发明的方法，在含氢还原气氛中热处理其表面上具有在绝缘体上形成的单晶硅膜的ＳＯＩ衬底，以便平滑该表面，降低硼浓度，而不会损伤单晶片和不同晶片间的膜厚均匀性。该方法的特征在于，热处理时单晶硅膜设置成与非氧化硅部件相对。...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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