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利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置制造方法及图纸
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下载利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置的技术资料
文档序号:32200955
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本发明公开了一种利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置,其包括半导体激光器、第一分束单元、移频单元、光传输装置、Rb原子饱和吸收单元、第二分束单元、超稳腔探测单元、信号监视单元几大部分。通过移频单元进行粗、细调移频频率,使得Rb...
该专利属于山西大学所有,仅供学习研究参考,未经过山西大学授权不得商用。
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