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在半导体晶片上的通孔中形成元素铜的方法包括以下步骤：提供具有已构图的铜层的晶片；在所说铜层上提供绝缘层；在所说绝缘层中开出通孔；将所说晶片置于还原环境中，将所说通孔中铜上的氧化铜还原成元素铜；然后，在不将晶片暴露于氧化环境的条件下，在所说通...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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