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制造具有多个存储电容器的集成半导体存储装置的方法，其中各第一电极（１２、２２、３２、４２）是片状结构，并且上下拉开一定距离平行于半导体存储装置的一主表面（８）排列，并分别通过接触头（１４、２４、３４、４４）与一存储单元的一选择晶体管电气连接...
该专利属于西门子公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司授权不得商用。

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