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一种制造半导体薄膜的方法包括以下步骤：向真空室中供应源气；利用通过施加射频电源产生的射频感应耦合等离子体（ＩＣＰ），通过等离子体分解来分解所供应的源气，并由利用所分解源气的化学汽相淀积工艺，在衬底上形成预定半导体薄膜，其中通过控制形成半导体...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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