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一种通过氧化衬底制造如ＭＯＳ晶体管的栅氧化物膜的很薄氧化物膜的方法，该方法可以精确且容易地控制氧化物膜的厚度为所要求的值。该方法包括通过调节所说含氧气氛中氧的分压而不改变所说衬底的氧化温度和所说衬底的氧化时间，来控制要形成的氧化物膜的厚度。...
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