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用在存储器和逻辑开关应用中的磁隧道结单元用第一铁磁层。第二铁磁层和夹在所述第一和第二铁磁层之间的绝缘层形成，用以形成磁隧道结元件。该单元还包括写入导线。写入导线由电容性结构端接，其允许使用单极写入电压和仅有单口写入端子在写入导线中建立双向电...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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