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一种在晶体管中形成栅导体包覆的方法，包括以下步骤：ａ）形成多晶硅栅导体；ｂ）掺杂多晶硅部分；ｃ）掺杂扩散区域；以及ｄ）通过选自选择性氮化物淀积和选择性表面氮化的氮化方法包覆栅导体。所得晶体管包括包覆的栅导体和无边框扩散接触，其中通过选自选择...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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