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在半导体衬底内制作掩埋注入层的方法利用具有界定了注入区域的渐薄边缘的掩膜，其中掩埋注入层包括延伸到衬底表面的渐薄边缘部分。...
该专利属于因芬尼昂技术北美公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术北美公司授权不得商用。

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