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本发明碳膜沉积源用的靶材是高纯（９９．９９９％）石墨靶，物理溅射沉积薄膜，氩气作溅射气源，或可掺入氢气作氢化，溅射气压在０．０５～１０Ｐａ范围内，溅射时可选气态掺杂源作为掺杂剂。...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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