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用低压ＣＶＤ工艺在器件上制作掺氟硼磷硅玻璃（Ｆ－ＢＰＳＧ）的装置和方法。Ｆ－ＢＰＳＧ玻璃在具有窄达０．１０μｍ的间隙和６∶１的形状比的结构的衬底上，表现为基本上无空洞和无颗粒的层。反应剂气体包括由硼和磷掺杂剂、氧、以及ＴＥＯＳ和ＦＴＥＳ的混...该专利属于国际商业机器公司;西门子公司;兰姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;西门子公司;兰姆研究公司授权不得商用。