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一种形成半导体的高熔点金属的硅化物的方法，包括在掺杂杂质形成杂质扩散区步骤和退火使扩散层折射－金属－硅化步骤之间去除起到抑制扩散层折射－金属－硅化作用的高密度杂质区。扩散区的折射－金属－硅化反应能顺利进行，从而防止起始栅极耐压值的降低而具有...
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