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一种场效应晶体管（ＦＥＴ）用基底层偏置来抑制本征对导电的贡献和减小泄漏电流。它包含相邻的四层（１０２至１０８）：ｐ↑［＋］ＩｎＳｂ基底层（１０２）、ｐ↑［＋］ＩｎＡｌＳｂ势垒层（１０４）、π本征层（１０６）和ＳｉＯ↓［２］绝缘层（１０８）；...
该专利属于英国国防部所有，仅供学习研究参考，未经过英国国防部授权不得商用。

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