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场效应晶体管制造技术
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文档序号:3218233
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一种场效应晶体管由垂直设置的电极(2,4,5)和绝缘体(3)构成,以便至少电极(4,5)和绝缘体(3)形成相对于第一电极(2)或衬底(1)垂直取向的台阶(6)。在形成为结型场效应晶体管(JFET)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MSFET)...
该专利属于薄膜电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过薄膜电子有限公司授权不得商用。
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