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本发明涉及一种加热例如半导体器件中的绝缘层的方法，其中透过一层抗蚀剂蚀刻形成物，包括反应蚀刻抗蚀剂，防止吸收或除去蚀刻形成物的裸露表面上的水蒸气和／或氧气，在没有上述水蒸气和／或氧气的情况下用导电金属填充形成物。...
该专利属于特利康控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过特利康控股有限公司授权不得商用。

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