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本发明属于半导体材料加工领域，具体公开了一种半导体材料的表面钝化工艺，所述半导体材料为氮化镓，包括以下步骤：在氮化镓衬底上由下至上依次加工出第一层PbI2钝化层、第二层SiO2钝化层、第三层甲基苯并三氮唑TTA钝化层、第四层SiO2钝化层和...
该专利属于徐州领测半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州领测半导体科技有限公司授权不得商用。

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