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一种半导体结构的制造方法，包括以下工序：提供具有表面（１２）的硅衬底（１０）；在硅衬底表面上形成界面（１４），该界面的特征在于硅、氮和金属的单原子层；和在界面上形成一层或多层单晶氧化物（２６）。该界面包括硅、氮和ＭＳｉＮ↓［２］形式的金属的...
该专利属于摩托罗拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过摩托罗拉公司授权不得商用。

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