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用于晶体生长的基底衬底和用其制造衬底的方法技术
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文档序号:3218005
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在蓝宝石(Al↓[2]O↓[3])衬底11的(0001)晶面上形成GaN膜12后,通过湿腐蚀而留下岛状GaN膜12。该岛状的GaN膜12的上部由单晶体层构成。通过进行外延生长而留下岛状的GaN膜12,就可以获得几乎没有晶体缺陷的GaN膜12...
该专利属于日本电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社授权不得商用。
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