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通过掩模中的开口在碳化硅衬底中注入ｐ型掺杂剂，形成深ｐ型注入，从而制造碳化硅功率器件。Ｎ型掺杂剂通过掩模中相同开口注入到碳化硅衬底中，相对于深ｐ型注入形成浅ｎ型注入。以足以使深ｐ型注入横向扩散到包围浅ｎ型注入的碳化硅衬底表面的温度和时间，进...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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