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一种沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。此方法是在具有磊晶层的基底上形成井区与沟道之后，先在沟道侧壁周缘的井区中形成源极区，再于沟道中与部分的磊晶层上形成栅极介电层、多晶硅栅极层与顶盖层。其后将氮气阳离子植入于磊晶层的表面，使...
该专利属于立生半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立生半导体股份有限公司授权不得商用。

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