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一种高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）（１０）包括一个半绝缘碳化基底（１１），在基底上是氮化铝缓冲层（１２），在缓冲层上面是绝缘的氮化镓层（１３），氮化镓层上是活性氮化铝镓结构（１４），其上是钝化层（２３），和至氮化铝镓结构的源、漏极和栅接点（...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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