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公开了一种ｐ型氧化锌膜及制造该膜和ｐ－ｎ或ｎ－ｐ结的方法。在优选实施例中，ｐ型氧化锌膜含砷，生长在砷化镓衬底上。ｐ型氧化锌膜的净受主浓度至少为约１０↑［１５］受主／ｃｍ↑［３］，电阻率低于约１欧姆厘米，霍尔迁移率在约０．１－５０ｃｍ↑［２］...
该专利属于密苏里大学所有，仅供学习研究参考，未经过密苏里大学授权不得商用。

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