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一种气密地钝化半导体器件的方法和装置包括将盖直接密封到半导体衬底上。有源器件形成在衬底的表面上，并由基本上平坦的盖密封区环绕，进而由键合焊盘环绕。第一层可焊接材料形成在盖密封区上。提供盖，盖具有结构上对应于第一层的第二层可焊接材料。焊料层提...
该专利属于硅光机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅光机器公司授权不得商用。

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