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带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管制造技术
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下载带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管的技术资料
文档序号:3217428
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本发明的场效应晶体管由作为栅极的导电性基底(2)、一个绝缘势垒层(3)和势垒层(3)上的一个超导沟道层(1)所组成。超导层(1)附装着一对相距一定距离的电极(4,5),分别构成源极和漏极,基底上设有一个适当的栅极接点。基底(2)由与势垒层(...
该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。
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