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本发明公开一种以微硅粉为原料制备Si/SiC@C负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行酸洗后，与镁粉进行球磨混料，深度还原，浅度氧化后，经酸洗、离心和干燥得到多孔Si/SiC。将所制备的样品在与有机物前驱体混合均匀后干燥，经碳化得到Si/...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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