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本发明公开了一种MSM结构的GaN肖特基双向变容二极管及其制作方法，双向变容二极管包括半绝缘衬底、第一阳极、第二阳极、第一空气桥、第二空气桥、第一加电平板、第二加电平板和有源区隔离台；所述第一加电平板和第二加电平板均设于半绝缘衬底上，所述第...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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