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一种薄膜压电元件，包括：硅衬底１；由硅衬底１上形成的氮化硅膜１６和在氮化硅膜１６的上侧形成的氧化硅膜２组成的介质膜２１；在介质膜２１上形成的下部电极３；在下部电极３上形成的压电体膜１７；以及在压电体膜１７上形成的上部电极５；其中，通过从硅衬...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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