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本发明涉及一种铟前体组合物，用于将铟掺入微电子装置结构中，例如，通过鼓泡技术或液体输送ＭＯＣＶＤ（金属有机气相淀积）技术，作为装置基片上的含铟薄膜，或者通过离子注入技术，作为掺杂剂掺入到装置基片中。这种前体组合物包括式Ｒ↓［１］Ｒ↓［２］Ｉ...
该专利属于高级技术材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过高级技术材料公司授权不得商用。

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