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构成本发明基础的基本发现在于多种氧化物物质，即用于微电子和电子电路的材料，特别是结合了电阻转换现象和内建存储器的半导体芯片。多种物质中的一个较好的物质是Ｂａ＃－［ｘ］Ｓｒ＃－［１－ｘ］ＴｉＯ＃－［３］，０≤ｘ≤０．７，掺杂了铬０％－５％，０...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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