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一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，包括在基底上形成覆盖住晶体管的第一绝缘层；形成穿过该绝缘层并与漏和源极之一连接的第一导电层；形成柱状层及其侧壁的第二导电层；在各导电层上交替形成第一和第二膜层；在第二膜层上方形成第二绝缘层；形成第三...
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