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一种无损检验方法包括：第一步，产生波长范围从３００ｎｍ到１２００ｎｍ的激光，并产生会聚到预定光束直径的激光束；第二步，在生产过程期间，预定电连接装置构成用于使在激光束照射到包括晶片状态和安装状态的衬底中至少待检验的半导体芯片中形成的ｐ－ｎ结...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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