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用于生产半导体器件的沉积牺牲氧化物的方法，其中包括在半导体晶片（３００）上制备Ｐ型硅掺杂区（３０６）以便在Ｐ型硅掺杂区（３０６）上沉积牺牲氧化物（３０２）。该方法还包括将晶片安放在电化学槽（１００）中的步骤，这样使得包含电解质的溶液（３１２...
该专利属于因芬尼昂技术北美公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术北美公司授权不得商用。

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