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一种在低压ＣＭＯＳ处理过程中不用额外的处理步骤即可产生高压ＣＭＯＳ晶体管的方法。该高压ＭＯＳ晶体管意于用作模拟线驱动器并在用作低压ＡＤ／ＤＡ转换器的同一硅区上产生。这样，低压块和高压块就可直接彼此兼容，例如具有相同的阈值电压，这种方法也使总...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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