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本发明公开了一种半导体器件、一种薄膜晶体管和形成薄膜晶体管的方法。根据本发明的半导体器件包括顶部栅极型薄膜晶体管，所述的顶部栅极型薄膜晶体管形成在衬底上，所述的顶部栅极型薄膜晶体管包括：沉积在所述衬底上的绝缘层；由金属掺杂剂化合物形成的源电...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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