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在有自对准ＬＤＤ的多晶硅薄膜晶体管基片上，用Ｗ浓度为重量５％以上不到２５％，更希望用Ｗ浓度为重量１７％到２２％的Ｍｏ－Ｗ合金制作栅极，用包括磷酸浓度为重量６０％到７０％的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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